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型号 SI4204DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 8-SOIC
SI4204DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4204DY-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 19.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.6 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2110pF @ 10V
功率 - 最大 3.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 标准包装
其它名称 SI4204DY-T1-GE3DKR
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